ファイル:Schematic cross-section of a device with corresponding material layers..png
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Schematic_cross-section_of_a_device_with_corresponding_material_layers..png (322 × 256 ピクセル、ファイルサイズ: 63キロバイト、MIME タイプ: image/png)
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概要
| 解説 |
English: Schematic cross-section of a device with corresponding material layers. The floating gate (FG), triple-barrier resonant-tunneling structure (TBRT), and readout channel are highlighted. Arrows indicate the direction of electron flow during program/erase operations. (Image credit: Lancaster University) |
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| 原典 | ULTRARAM: A Low-Energy, High-Endurance, Compound-Semiconductor Memory on Silicon |
| 作者 | Peter D. Hodgson,Dominic Lane,Peter J. Carrington,Evangelia Delli,Richard Beanland,Manus Hayne |
ライセンス
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| 現在の版 | 2022年4月8日 (金) 07:23 | | 322 × 256 (63キロバイト) | Avast rumali | Uploaded while editing "User:Avast_rumali/sandbox" on en-two.iwiki.icu |
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