セレン化インジウム(III)
| セレン化インジウム(III) | |
|---|---|
Indium(III) selenide | |
別称 indium selenide, indium sesquiselenide | |
| 識別情報 | |
| CAS登録番号 | 12056-07-4 
|
| PubChem | 166055 |
| 特性 | |
| 化学式 | In2Se3 |
| モル質量 | 466.516 g/mol |
| 外観 | black crystalline solid |
| 密度 | 5.80 g/cm³ |
| 特記なき場合、データは常温 (25 °C)・常圧 (100 kPa) におけるものである。 | |
セレン化インジウム(III)(Indium(III) selenide)は、インジウムとセレンからなる化合物である。光起電力効果を用いたデバイスに利用できる可能性があり、研究が行われている。最も一般的なα相とβ相は、層状構造である。一方、γ相は「格子欠陥を含むウルツ鉱構造」である。α、β、γ、δ及びκの全部で5つの多形が知られている[1]。α-β相転移では電気伝導率が変わる[2]。γ相のバンドギャップは、約1.9 eVである。
合成
[編集]合成方法は多形の生成に影響を与える。例えば、トリメチルインジウムとセレン化水素から有機金属気相成長法で合成することで、純粋なγ相の薄いフィルムが合成される[3]。
- 3 H
2Se + 2 In(CH
3)
3 → In
2Se
3 + 6 CH
4
伝統的な方法では、密閉チューブ内で元素同士を加熱する[4]。
- 3 Se + 2 In → In
2Se
3
関連項目
[編集]出典
[編集]- ^ Crystal structure of κ-In2Se3. Jasinski, J.; Swider, W.; Washburn, J.; Liliental-Weber, Z.; Chaiken, A.; Nauka, K.; Gibson, G. A.; Yang, C. C. Applied Physics Letters, Volume 81, Issue 23, id. 4356 (2002) doi:10.1063/1.1526925
- ^ Some Electrical and Optical Properties of In2Se3 D. Bidjin, S. Popovi , B. Elustka Physica Status Solidi A Volume 6, Issue 1 , Pages 295 – 299 doi:10.1002/pssa.2210060133
- ^ Growth of single-phase In2Se3 by using metal organic chemical vapor deposition with dual-source precursors Chang, K. J.; Lahn, S. M.; Chang, J. Y. Applied Physics Letters, Volume 89, Issue 18, id. 182118 (3 pages) (2006). doi: 10.1063/1.2382742
- ^ O. E. Donges (1963). “Indium Selenides and Tellurides”. In G. Brauer. Handbook of Preparative Inorganic Chemistry, 2nd Ed.. 2pages=865. NY,NY: Academic Press