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フッ化ガリウム(III)

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』
フッ化ガリウム(III)
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識別情報
CAS登録番号 7783-51-9 ×
PubChem 82211
ChemSpider 74191 チェック
特性
化学式 GaF3
モル質量 126.718 g/mol
外観 白色粉末
密度 4.47 g/cm3
融点

800 °C, 1073 K, 1472 °F

沸点

1000 °C, 1273 K, 1832 °F

への溶解度 0.0002 g/100 mL
構造
結晶構造 三方晶, hR24
空間群 R-3c, No. 167
危険性
EU分類 not listed
NFPA 704
0
3
2
特記なき場合、データは常温 (25 °C)・常圧 (100 kPa) におけるものである。

フッ化ガリウム(III)(Gallium(III) fluoride)は、化学式GaF3の化合物である。白色の固体で1000℃以上で融解するが、約950℃で昇華する。ガリウム原子が6配位するフッ化鉄(III)型の構造を持つ[1]。GaF3は、フッ素分子またはフッ化水素酸化ガリウム(III)の反応あるいは(NH4)3GaF6の熱分解により生成する[2]。水にはほぼ溶けない[2]。GaF3のフッ化水素溶液が蒸発すると三水和物GaF3·3H2Oが形成され、加熱すると水和物型のGaF2(OH)となる[2]無機酸と反応するとフッ化水素を形成する。

軸方向
c軸方向
Gaの配位
Fの配位

出典

[編集]
  1. ^ グリーンウッド, ノーマン; アーンショウ, アラン (1997). Chemistry of the Elements (英語) (2nd ed.). バターワース=ハイネマン英語版. ISBN 978-0-08-037941-8
  2. ^ a b c Anthony John Downs, (1993), Chemistry of Aluminium, Gallium, Indium, and Thallium, Springer, ISBN 978-0-7514-0103-5

関連文献

[編集]
  • Barrière, A.S.; Couturier, G.; Gevers, G.; Guégan, H.; Seguelond, T.; Thabti, A.; Bertault, D. (1989). “Preparation and characterization of gallium(III) fluoride thin films”. Thin Solid Films 173 (2): 243. doi:10.1016/0040-6090(89)90140-5.