利用者:加藤勝憲/モハメド・M・アタラ

 

モハメド・M・アタラ
Mohamed Martin Atalla
محمد عطاالله
1963 年、ヒューレット・パッカードの研究所で半導体研究部長を務めていた モハメッド・アタラ
生誕 August 4, 1924
 エジプト ポートサイド
死没 2009年12月30日(2009-12-30)（85歳）
Atherton, California, United States
国籍  エジプト
USA
別名 M. M. Atalla
"Martin" M. Atalla
"John" M. Atalla
教育 カイロ大学 (学士)
パデュー大学 (修士 博士)
著名な実績 MOSFET (MOS transistor)
Surface passivation
Thermal oxidation
PMOS and NMOS
MOS integrated circuit
Hardware security module
子供 Bill Atalla[1]
技術者の経歴
工学分野 Mechanical engineering
Electrical engineering
Electronic engineering
Security engineering
所属学会 Bell Labs
Hewlett-Packard
Fairchild Semiconductor
Atalla Corporation
主な受賞 National Inventors Hall of Fame
Stuart Ballantine Medal
Distinguished Alumnus
IEEE Milestones
IT Honor Roll

モハメド・M・アタラ（阿: محمد عطاالله‎、1924年8月4日–2009年12月30日)は、エジプト系アメリカ人のエンジニア、物理学者、暗号学者、発明家、起業家。

半導体のパイオニアであり、現代のエレクトロニクスに重要な貢献をした。1959年にMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、MOSトランジスタ）を発明したことで知られ（同僚のダウォン・カーンとともに）、アタラの初期の表面不動態化および熱酸化プロセスとともに、電子産業に革命をもたらした。

表面不動態および熱酸化プロセス(プレーナープロセスやモノリシック集積回路チップなどのシリコン半導体技術の基礎)の開発、1959年のカーンとのMOSFETの発明など、ベルの半導体技術にいくつかの重要な貢献をした。、およびPMOSおよびNMOSの製造プロセス。ベルでのアタラの先駆的な仕事は、現代のエレクトロニクス、シリコン革命、デジタル革命に貢献した。特にMOSFETは、現代の電子機器の基本的な構成要素であり、電子機器における最も重要な発明の1つと考えられている。これは史上最も広く製造されたデバイスでもあり、米国特許商標庁はこれを「世界中の生活と文化を変えた画期的な発明」と呼んでいる。

また、1972年に設立されたデータセキュリティ会社AtallaCorporation（現UtimacoAtalla）の創設者としても知られる。半導体技術だけでなく、データセキュリティへの重要な貢献が認められ、スチュアート・バランタイン・メダル（現在のスチュアート・バレンタイン・メダル(現在はベンジャミン・フランクリン・メダル(フランクリン協会)）を受賞、全米発明家殿堂入りを果たした。

生い立ちと教育(1924～1949年)[編集]

アタラ[2][3][4]は、エジプトのポートサイドで生まれ[5]、エジプトのカイロ大学で理学士号を取得。その後渡米し、パデュー大学で機械工学を学び、1947年に修士号(MSc)を、1949年に博士号(PhD)を両方とも機械工学で取得した[5]。彼の修士論文は1948年に発表された「正方形ディフューザーの高速流れ」であり[6]、博士論文は1949年1月に発表された「正方形ディフューザーの高速圧縮性流れ」であった[3]。

ベル電話研究所時代(1949年～1962年)[編集]

パデュー大学で博士号を取得した後、アタラは1949年にベル電話研究所(BTL)に就職した[7]。1950年に、ベルのニューヨーク市の事業所で働き始め、そこで電気機械式リレーの信頼性に関する問題に取り組み[8]、回線交換電話網に取り組んだ[9]。トランジスタの出現により、アタラはマレーヒル研究所に移され、そこで1956年に小規模なトランジスタ研究チームを率い始めた[8]。機械工学の背景を持ち、物理化学の正式な教育を受けていないにもかかわらず、物理化学と半導体物理学をすぐに習得できることを証明し、最終的にこれらの分野で高いレベルのスキルを発揮した[10]。とりわけ、シリコン半導体の表面特性と、シリコン半導体デバイスの保護層としてのシリコンの使用について研究した[7]。

最終的に、彼のプロとしてのキャリアのために、別名「マーティン」M.アタラまたは「ジョン」M.アタラという名前を使うことにした[4]。

1956年から1960年にかけて、アタラは、アイリーンタネンバウム、エドウィンジョセフシャイブナー、ダウォンカーンなど、数人のBTL研究者からなる小さなチームを率いていた[11]。彼らは、彼と同じようにBTLの新入社員で、チームに上級研究員はいなかった。彼らの研究は当初、BTLの上級管理職とその所有者であるAT&Tによって真剣に受け止められなかった。これは、チームが新入社員で構成されていることと、チームリーダーのアタラ自身が物理学者、物理化学者とは対照的に機械工学のバックグラウンドを持っていたためである。アタラが物理化学と半導体物理学の高度なスキルを示したにもかかわらず、数学者はより真剣に受け止められた[10]。

アタラと彼のチームは、ほとんどの作業を自分たちで行っていたにもかかわらず、半導体技術を大幅に進歩させた[10]。フェアチャイルドセミコンダクターのエンジニアであるChih-TangSahによると、1956年から1960年にかけてのアタラと彼のチームの仕事は、トランジスタの歴史[12]を含む[11][13]シリコン半導体技術とマイクロエレクトロニクスにおける「最も重要かつ重要な技術的進歩」であった[14]。

熱酸化による表面不動態[編集]

アタラの研究の最初の焦点は、シリコンの表面状態の問題を解決することであった。当時、ゲルマニウムやシリコンなどの半導体材料の電気伝導性は、表面に不飽和結合が存在するために生じるダングリングボンドが原因で、電子が表面にトラップされる不安定な量子表面状態[15]によって制限されていた[16]。これにより、電気が確実に表面を貫通して半導体シリコン層に到達することが妨げられた[7][17]。表面状態の問題により、ゲルマニウムはキャリア移動度が高いため、初期の半導体産業ではトランジスタやその他の半導体デバイスに選択される主要な半導体材料であった[18][19]。

、表面不動態プロセスの開発で画期的な成果を上げた[7]。これは、半導体表面が不活性になるプロセスであり、結晶の表面またはエッジと接触する空気または他の物質との相互作用の結果として、半導体の特性を変化させない。表面不動態プロセスは、1950年代後半にアタラによって最初に開発された[7][20]。、熱成長した二酸化ケイ素(SiO2)層の形成が、シリコン表面の電子状態の濃度を大幅に低下させることを発見し[20]、pn接合の電気的特性を維持する上で重要なSiO2薄膜の品質を発見した。また、これらの電気的特性が気体の周囲環境によって劣化するのを防ぐことにもなる[21]。酸化シリコン層を使用してシリコン表面を電気的に安定化できることを発見した[22]。表面不動態化プロセスを開発した。これは、シリコンウェーハを酸化シリコンの絶縁層でコーティングすることを含む半導体デバイス製造の新しい方法であり、電気が下の導電性シリコンに確実に浸透できるようにする。シリコンウエハーの上に二酸化ケイ素の層を成長させることにより、アタラは電気が半導体層に到達するのを妨げていた表面状態を克服することができた。彼の表面不動態法は、シリコン集積回路の普及を可能にする重要なステップであり、後に半導体産業にとって重要なものになった[7][17]表面不動態プロセスのために、熱酸化の方法を開発した。これは、シリコン半導体技術のブレークスルーであった[23]。

表面不動態プロセスは、シリコンがゲルマニウムの導電率と性能を超えることを可能にしたため、シリコン半導体研究におけるブレークスルーであり[16][19][20]、主要な半導体材料としてシリコンがゲルマニウムに取って代わるようになったブレークスルーであった[15][19]。このプロセスは、モノリシック集積回路チップの基礎も築いた。これは、高品質の二酸化シリコン絶縁膜をシリコン表面に熱成長させて、下にあるシリコンpn接合ダイオードとトランジスタを保護できる初めての方法であった[21]。集積回路チップが開発される前は、ディスクリートダイオードとトランジスタは、単結晶シリコンの表面に高密度のトラップが存在するために、比較的高い逆バイアスジャンクションリークと低いブレークダウン電圧を示していた。アタラの表面不動態プロセスは、この問題の解決策となった。、二酸化ケイ素の薄い層がシリコンの表面に成長し、そこでpn接合が表面を遮ると、接合の漏れ電流が10倍から100倍に減少することを発見した。これは、酸化物が界面および酸化物トラップの多くを減少させ、安定化させることを示した。シリコン表面の酸化物不動態化により、デバイス特性が大幅に改善されたダイオードとトランジスタを製造できるようになり、シリコン表面に沿ったリーク経路も効果的に遮断された[14]。彼の表面酸化法は、環境に影響されない半導体表面を提供した[8]。これは、プレーナ技術と集積回路チップに必要な基本的なpn接合分離機能になった[14]。

アタラは、1958年の電気化学会[24][25]RadioEngineers'SemiconductorDeviceResearchConferenceで彼の成果を発表する前に、1957年にBTLメモで彼の調査結果を最初に発表した[8]。半導体業界はアタラの表面酸化方法の潜在的な重要性を認識し、RCAはそれを「表面分野のマイルストーン」と呼んだ[8]。同年、同僚のアイリーン・タネンバウムとエドウィン・ジョセフ・シャイブナーと共にプロセスをさらに改良し、1959年5月に結果を発表した[13][26]。フェアチャイルドセミコンダクターのエンジニアであるチータン・サーによると、アタラと彼のチームが開発した表面不動態プロセスは、シリコン集積回路の開発につながる「道を切り開いた」とのことである[13][14]。熱酸化物[27]によるシリコントランジスタ不動態化技術は、1959年にいくつかの重要な発明の基礎となった。1959年にFairchildでロバート・ノイスが開発した回路チップ[14][25][28]、1960年代半ばまでに、アタラの酸化シリコン表面プロセスは、事実上すべての集積回路とシリコンデバイスの製造に使用された[29]。シリコン半導体技術に加えて、表面不動態化プロセスは、太陽電池[30]および炭素量子ドット技術にも重要である。

MOSFET（MOSトランジスタ）[編集]

MOSFETは、1959年にアタラが同僚のDawonKahngと共に、アタラの初期の表面不動態と熱酸化プロセスに基づいて発明した。

表面不動態と熱酸化プロセスに関する彼の以前の先駆的な研究[31]に基づいて[23]、アタラは金属-酸化物-半導体(MOS)プロセスを開発した[7]。アタラは、電界効果トランジスタ(1920年代に最初に構想され、1940年代に実験的に確認されたが、実用的なデバイスとしては達成されなかった概念)を金属酸化物シリコンで構築することを提案した。アタラは、最近、彼のグループに加わった韓国の科学者ダウォン・カーンに彼を支援する任務を割り当てた[7]。これが、1959年11月のアタラとダウォン・カーン[32][33]によるMOSFET(金属酸化物半導体電界効果トランジスタ)の発明につながった[8]。アタラとダウォン・カーンは、1960年初頭に初めてMOSFETを実証した[34][35]。その高いスケーラビリティ[36]と、バイポーラ接合トランジスタよりもはるかに低い電力消費と高密度[37]により、MOSFETは高密度集積回路(IC)チップの構築を可能にした[38]。

もともとMOSFETのロジックには、PMOS（p型MOS）とNMOS（n型MOS）の2種類がありた[32]。どちらのタイプも、最初にMOSFETを発明したときにアタラとKahngによって開発された。彼らは、PMOSデバイスとNMOSデバイスの両方を20μmプロセスで製造した。ただし、当時はPMOSデバイスのみが実用的なデバイスであった[33]

アタラは1960年にMOS集積回路チップの概念を提案した。、MOSトランジスタは製造が容易なため、ICチップに有用であると述べた[10]。しかし、ベル研究所は当時ICに関心がなかったため、当初はMOS技術を無視していた[10]それにもかかわらず、MOSFETはRCAとFairchildSemiconductorで大きな関心を集めた。1960年初頭のアタラとKahngによる最初のMOSFETのデモンストレーションに着想を得て、RCAとFairchildの研究者はその年の後半にMOSFETを製造し、KarlZainingerとCharlesMeullerはRCAでMOSFETを製造し、Chih-TangSahはFairchildでMOS制御の四極管を製造した[32]。彼のMOSICチップの概念は最終的に現実のものとなり[10]、1962年にRCAでFredHeimanとStevenHofsteinによって実験的なMOSチップが実証され、その後MOSがICチップの主要な製造プロセスになった[39]。

その後、PMOSとNMOSの相補的なペアのトランジスタを使用するCMOSは、1963年にフェアチャイルドのチータン・サーとフランク・ワンラスによって開発された[40]。小型化が可能なMOS技術の開発は、1960年代にはRCA、フェアチャイルド、インテルなどの半導体企業の中心となり、カリフォルニア（後のシリコンバレーの中心）と日本[41]の初期の半導体産業の技術および経済成長を促進させた[42]。

MOSFETは、幅広い用途向けに小型化および大量生産が可能な最初の真にコンパクトなトランジスタであり[10]、エレクトロニクス産業に革命をもたらした[43][44]MOSFETは、最新の電子機器の基礎を形成し[45]、最新の電子機器の基本要素です[46]これは、世界で最も広く使用されている半導体デバイスであり[38][47]、史上最も広く製造されたデバイスであり、推定13 [[48][49]MOSFETは、マイクロエレクトロニクス革命[50]シリコン革命[15][51]およびマイクロコンピューター革命[52]の中心であり、デジタル革命、情報革命、情報化時代における現代のデジタルエレクトロニクスの基本的なビルディングブロックです[53][54][55]これは、コンピューター、シンセサイザー、[17]通信技術、スマートフォン、[56]。インターネットインフラストラクチャ、[57]。[58][59]デジタル通信システム、ビデオゲーム、電卓など、さまざまなエレクトロニクスアプリケーションで使用されている。やデジタル腕時計など、多くの用途がありる[60]これは、使用されているすべてのマイクロプロセッサ、メモリチップ、および通信回路のビルディングブロックであるため、「電子産業の主力製品」と呼ばれている[61]米国特許商標庁は、MOSFETを「世界中の生活と文化を変えた画期的な発明」と呼んでいる[56]アタラとKahngによるMOSFETの発明は、「現代の電子機器の誕生」とされており[62]、おそらく電子機器における最も重要な発明であると考えられている[63]

ナノレイヤートランジスタ[編集]

1960年、アタラとKahngは、ゲート酸化膜厚が100nm、ゲート長が20nmの最初のMOSFETを製造した[64]。1962年、アタラとカーンは、ナノレイヤーベースの金属-半導体接合(M-S接合)トランジスタを製造した。このデバイスは、2つの半導体層の間にナノメートルの厚さの金属層が挟まれており、金属がベースを形成し、半導体がエミッタとコレクタを形成する。薄い金属ナノ層ベースの低抵抗と短い遷移時間により、デバイスはバイポーラトランジスタと比較して高い動作周波数が可能であった。彼らの先駆的な研究は、単結晶半導体基板(コレクタ)の上に金属層(ベース)を堆積することを含み、エミッタは、金属層に押し付けられた上部または鈍い角(点接触)を持つ結晶半導体片です。n型ゲルマニウム（n-Ge）上に厚さ10nmの金（Au）薄膜を堆積させ、点接触はn型シリコン（n-Si）とした[65]アタラは1962年にBTLを辞任した[33]

ショットキーダイオード[編集]

アタラとKahngは、MOS技術の研究を拡張し、次に、後にショットキー障壁と呼ばれるものを使用するホットキャリアデバイスの先駆的な研究を行いた[66]ショットキーバリアダイオードとしても知られるショットキーダイオードは、何年にもわたって理論化されていましたが、1960 – 1961年のアタラとKahngの研究の結果として初めて実用化された[67]彼らは1962年に結果を発表し、彼らのデバイスを半導体金属エミッターを備えた「ホットエレクトロン」三極管構造と呼んだ.[68]これは、最初のメタルベーストランジスタの1つです[69]ショットキーダイオードは、ミキサアプリケーションで重要な役割を担うようになった[67]。

ヒューレット・パッカード時代（1962～1969年）[編集]

MohamedAtallaasDirectorofSemiconductorResearchatHPAssociatesin1963

MOSFETの発明は当初ベルで軽視されていたためベルを辞職し、1962年にヒューレットパッカード(HP)に入社し、Hewlett-PackardandAssociates(HPAssociates)を共同設立し、1966年にセミコンダクターラボを設立し、半導体研究部長として指揮した[5][33][70]。HPAssociatesでRobertJ.Archerと協力しながら、ショットキーダイオードの研究を続けた。彼らは高真空金属膜堆積技術を開発し[71]、安定した蒸着/スパッタ接点を製造し[72][73]、1963年1月にその結果を発表した[74]。彼らの研究は、点接触ダイオードに固有の製造上の問題のほとんどを克服し、実用的なショットキーダイオードの構築を可能にしたため、金属-半導体接合[72]およびショットキーバリア研究におけるブレークスルーとなった[71]。

1960年代の半導体研究所で、ガリウム砒素(GaAs)、ガリウム砒素リン(GaAsP)、およびインジウム砒素(InAs)デバイスの基本技術を提供する材料科学調査プログラムを開始した。これらのデバイスは、HPのマイクロ波部門がスイーパーとネットワークアナライザーを開発するために使用するコアテクノロジーとなり、20 – 40を押し上げた。 GHz周波数により、HPは軍用通信市場の90%以上を占めている[70]。

フェアチャイルドセミコンダクター時代[編集]

1969年にHPを退社しフェアチャイルドセミコンダクターに入社した。マイクロウェーブ部門、オプトエレクトロニクス部門を設立。HPおよびFairchildでの彼の仕事には、ショットキーダイオード、ガリウム砒素(GaAs)、ガリウム砒素リン(GaAsP)、インジウム砒素(InAs)、および発光ダイオード(LED)技術に関する研究が含まれていた。その後、半導体業界を去り、暗号とデータセキュリティの起業家になった。1972年にアタラ社を設立し、リモート個人識別番号(PIN)セキュリティシステムの特許を申請した。1973年に、PINとATMメッセージを暗号化する最初のハードウェアセキュリティモジュール「アタラボックス」をリリースし、世界のATM取引の大部分を保護した。その後、1990年代にインターネットセキュリティ会社TriStrataSecurityを設立した。情報セキュリティ管理とサイバーセキュリティのPINシステムに関する彼の業績が認められ、アタラは「PINの父」と呼ばれている。情報セキュリティのパイオニア。


1969年にフェアチャイルドセミコンダクターに入社した[66]。1969年5月の開始から1971年11月まで[75]、マイクロ波&オプトエレクトロニクス部門の副社長兼ゼネラルマネージャーでした[76]発光ダイオード(LED)に関する研究を続け、1971年にインジケータライトや光学リーダーに使用できることを提案した[77]。後に1972年にフェアチャイルドを去った[66]。

AtallaCorporation時代（1972 – 1990年）[編集]

1972年に半導体業界を去り、データセキュリティ[66]と暗号化の分野で起業家として新たなキャリアをスタートさせた[78]。1972年に[78]アタラTechnovation[3]を設立し[79]、後にアタラCorporationと呼ばれ、銀行や金融機関の安全性の問題を扱っていた[80]。

Hardwaresecuritymodule[編集]

最初のハードウェアセキュリティモジュール(HSM)を発明した[81]。いわゆる「アタラボックス」、今日のATMからのトランザクションの大部分を保護するセキュリティシステムである。同時に、アタラは個人識別番号(PIN)システムの開発に貢献した。このシステムは、銀行業界でとりわけ識別の標準として開発された。

1970年代初頭のアタラの取り組みにより、高度なセキュリティモジュールが使用されるようになった。彼の「アタラボックス」は、PINとATMメッセージを暗号化するセキュリティシステムであり、推測不可能なPIN生成キーでオフラインデバイスを保護した[82]1973年に「アタラボックス」を商業的にリリースした[82]この製品はIdentikeyとしてリリースされた。これは、プラスチックカードとPIN機能を備えた端末を提供する、カードリーダーと顧客識別システムであった。このシステムは、銀行や貯蓄機関が通帳プログラムからプラスチックカード環境に切り替えられるように設計されている。Identikeyシステムは、カードリーダーコンソール、2つのカスタマーPINパッド、インテリジェントコントローラー、組み込みの電子インターフェイスパッケージで構成されていた[83]この装置は、顧客用と出納係用の2つのキーパッドで構成されていた。これにより、顧客は秘密のコードを入力できるようになった。このコードは、マイクロプロセッサを使用してデバイスによって変換され、出納係用の別のコードに変換され、[84]取引中に顧客の口座番号がカードリーダーによって読み取られた。このプロセスは手動入力に取って代わり、キーストロークエラーの可能性を回避した。これにより、ユーザーは、署名の検証やテストの質問などの従来の顧客検証方法を安全なPINシステムに置き換えることができた[83]

アタラボックスの重要なイノベーションは、対称キーまたはPINを銀行業界の他の関係者と安全に交換するために必要なキーブロックであった。この安全な交換は、PaymentCardIndustryDataSecurityStandard(PCIDSS)およびAmericanNationalStandardsInstitute(ANSI)標準で使用されるすべての暗号化ブロック形式のルートにあるアタラ・キーボックス（AtallaKeyBlock、AKB）形式を使用して実行される[85]。

アタラが市場を支配するのではないかと恐れた銀行やクレジットカード会社は、国際標準の策定に取り組み始めた[82]。そのPIN検証プロセスは、後のIBM3624と似ていた[86]。アタラは、銀行市場におけるIBMの初期の競合相手であり、DataEncryptionStandard(DES)に取り組んでいたIBMの従業員から影響を受けたとされている[79]情報セキュリティ管理のPINシステムに関する彼の功績が認められ、アタラは「PINの父」[5][87][88]および情報セキュリティ技術の父と呼ばれている[89]。

アタラボックスは、1998年時点で運用されているすべてのATMネットワークの90%以上を保護し[90]、2006年時点で世界中のすべてのATMトランザクションの85%を保護した[91]。アタラ製品は、2014年現在でも、世界のATM取引の大部分を保護している[81]。

オンラインセキュリティー[編集]

1972年、アタラはリモートPIN検証システムのアメリカ合衆国特許第 3,938,091号を申請した。これは、個人ID情報を入力する際に暗号化技術を使用して電話リンクのセキュリティを確保するもので、検証のために通信ネットワークを介して暗号化されたデータとして送信される。これは、テレフォンバンキング、インターネットセキュリティ、電子商取引の前身である[79]。

1976年1月の全国相互貯蓄銀行協会(NAMSB)会議で、アタラはInterchangeIdentikeyと呼ばれる自社のIdentikeyシステムのアップグレードを発表した。オンライントランザクションを処理し、ネットワークセキュリティを処理する機能が追加された。銀行取引をオンラインで行うことに重点を置いて設計されたIdentikeyシステムは、共有施設の運用に拡張された。それは一貫性があり、さまざまなスイッチングネットワークと互換性があり、カードデータ情報によって指示された64,000の不可逆的な非線形アルゴリズムのいずれかに電子的にリセットすることができた。InterchangeIdentikeyデバイスは1976年3月にリリースされた。これは、同じNAMSB会議で発表されたBunkerRamoCorporationの製品とともに、オンライントランザクションを扱うように設計された最初の製品の1つである[84]。1979年、アタラは最初のネットワークセキュリティプロセッサ(NSP)を発表した[92]。

1987年、アタラコーポレーションはタンデムコンピュータと合併した。アタラは1990年に引退した。

2013年現在、何百万ものクレジットカード取引がアタラ製品によって保護されている[78]。

TriStrataSecurity時代（1993 – 1999年）[編集]

大手銀行の重役数人が、インターネットが機能するためのセキュリティシステムを開発するよう彼を説得するまで、そう長くはかかりませんでした。彼らは、コンピューターとネットワークセキュリティ業界のイノベーションがなければ、当時の電子商取引の有用なフレームワークは実現できなかっただろうという事実を懸念していた[5]1993年にウェルズファーゴ銀行の前社長であるウィリアムズエンドからの要請を受けて、アタラは新しいインターネットセキュリティテクノロジの開発を開始した。。これにより、企業は安全なコンピュータファイル、電子メール、およびデジタルビデオとオーディオをスクランブルしてインターネット経由で送信できるようになった[87]。

これらの活動の結果、1996年にTriStrataSecurityという会社を設立した[93]当時のほとんどの従来型のコンピューターセキュリティシステムは、企業のコンピューターネットワーク全体に壁を構築して内部の情報を泥棒や企業のスパイから保護していましたが、TriStrataは異なるアプローチを採用した。同社のセキュリティシステムは、個々の情報(ワードプロセッシングファイル、顧客データベース、電子メールなど)を暗号化された安全な封筒で包み、電子的な許可が必要な場合にのみ開封して解読できるようにすることで、企業はどのユーザーが電子的な許可を持っているかを管理できるようになった。この情報へのアクセスと必要な許可[87]当時、これはエンタープライズセキュリティへの新しいアプローチと見なされていた[5]。

晩年(2000 – 2009年)[編集]

アタラは、2003年現在、A4Systemの会長であった[5]。 カリフォルニア州アサートンに住んでいたが、2009年12月30日にカリフォルニア州アサートンで死去[94]。

受章・栄典[編集]

アタラは、シリコン半導体技術とMOSFETの発明への重要な貢献により、1975年のフランクリン研究所賞でスチュアートバランタインメダル(現在は物理学のベンジャミンフランクリンメダル)を受賞した[95][96]。2003年、パデュー大学からDistinguishedAlumnus博士号を取得した[5]。

2009年には、半導体技術とデータセキュリティへの重要な貢献により、全米発明家殿堂入りした[7]。、他の数人の半導体のパイオニアと共に「シリコンのサルタン」の1人と呼ばれていた[35]。

2014年には、1959年のMOSFETの発明が、IEEEエレクトロニクスのマイルストーンのリストに含まれた[97]。2015年、情報技術への重要な貢献により、IT歴史協会のIT名誉ロールに選ばれた[98]。

脚注・参考文献[編集]

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外部リンク[編集]

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