「拡散型トランジスタ」の版間の差分
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== 溶融拡散法 == |
== 溶融拡散法 == |
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P型半導体基板結晶上にN型およびP型の両[[ドーパント]]を含む半導体の粉末を乗せて一気に表面を加熱して表面だけを溶融して一気に冷却する事により、P型及びN型のドーパントの拡散速度の違いを利用して短時間でトランジスタの構造を形成する<ref name="rekishi02">{{cite journal|和書|url=http://success-int.co.jp/pdf/article_03.pdf |title=東京通信工業、日本初のトランジスタ及びトランジスタラジオ量産成功の軌跡 |format=PDF |journal=半導体産業人協会 会報 |volume= |issue=No.84 |date=2014年4月 |page=26-33 | |
P型半導体基板結晶上にN型およびP型の両[[ドーパント]]を含む半導体の粉末を乗せて一気に表面を加熱して表面だけを溶融して一気に冷却する事により、P型及びN型のドーパントの拡散速度の違いを利用して短時間でトランジスタの構造を形成する<ref name="rekishi02">{{cite journal|和書|url=http://success-int.co.jp/pdf/article_03.pdf |title=東京通信工業、日本初のトランジスタ及びトランジスタラジオ量産成功の軌跡 |format=PDF |journal=半導体産業人協会 会報 |volume= |issue=No.84 |date=2014年4月 |page=26-33 |author=川名喜之 }}</ref>。 |
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== イオン打ち込み法 == |
== イオン打ち込み法 == |
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2020年1月25日 (土) 16:39時点における版
拡散型トランジスタ（かくさんがたトランジスタ）とはトランジスタの一形式。
概要
1947年12月にベル研究所で点接触型トランジスタが開発されたものの、品質(特に高周波特性)が安定せず、歩留まりも低いため、量産には適さなかった。その後、それらの欠点を改良した合金接合型、成長接合型のような接合型トランジスタが開発されたが、それらは高周波特性を高めるためにベース層を薄くする事が困難で品質も不安定だった。1955年にベル研究所でゲルマニウムやシリコンの基板上にドーパントを添加してトランジスタを形成する拡散法によるメサ型トランジスタが開発された[1]。
1957年にベル研究所のフロッシとデリックによって選択拡散法が開発された事によりベース層を薄くする事が可能になり、1959年5月にフェアチャイルド・セミコンダクターのジーン・ヘルニ(Joan Hoerni)がSi接合型トランジスタの製法としてプレーナー型トランジスタを開発した[1]。また、合金型トランジスタのように両面に拡散する必要がなく、メサ型トランジスタのように台形に削る工程がないので生産性も優れていた。
気相拡散法
半導体基板をドーパントを含んだガスの雰囲気中で加熱して単結晶内にドーパントを拡散する。
溶融拡散法
P型半導体基板結晶上にN型およびP型の両ドーパントを含む半導体の粉末を乗せて一気に表面を加熱して表面だけを溶融して一気に冷却する事により、P型及びN型のドーパントの拡散速度の違いを利用して短時間でトランジスタの構造を形成する[2]。
イオン打ち込み法
詳細は「イオン注入」を参照
ドーパントのイオンを加速して打ち込む。急峻なPN接合を作成できる。
特徴
- 特性のバラツキが小さく、品質管理が容易
- 高周波に適する
- 振動に対して強い
用途
ラジオやコンピュータなどに使用され、さらに集積回路へと発展する。
参考文献
- ^ a b 「半導体の歴史 その8 20世紀後半 集積回路への発展 (3)」（PDF）『SEAJ Journal』第122号、2009年、17-21頁。
- ^ 川名喜之「東京通信工業、日本初のトランジスタ及びトランジスタラジオ量産成功の軌跡」（PDF）『半導体産業人協会 会報』No.84、2014年4月、26-33頁。
関連項目
外部リンク
- 河村豊作、安福真民、「浸漬成長拡散形トランジスタ」 電氣學會雜誌 1960年 80巻 858号 p.318-325, doi:10.11526/ieejjournal1888.80.318
- 塚本哲男、「最近のトランジスタの進歩」 電氣學會雜誌 1962年 82巻 887号 p.1373-1380, doi:10.11526/ieejjournal1888.82.1373
