Onosakiの投稿記録

2023年8月26日 (土)

• 14:132023年8月26日 (土) 14:13 差分 履歴 +3,111 N U.3 新規ページ作成 最新 タグ: ビジュアルエディター

2018年10月20日 (土)

• 08:302018年10月20日 (土) 08:30 差分 履歴 −391 カレントミラー コンプライアンス電圧→許容電圧、読みやすいように変更 タグ: ビジュアルエディター

2018年10月19日 (金)

• 03:112018年10月19日 (金) 03:11 差分 履歴 +38 m カレントミラー default sortの追加 タグ: 2017年版ソースエディター
• 03:032018年10月19日 (金) 03:03 差分 履歴 +33,384 N カレントミラー en:Current_mirror(oldid=804344404)の翻訳 タグ: ビジュアルエディター
• 02:432018年10月19日 (金) 02:43 差分 履歴 +2 m 利用者:Onosaki/カレントミラー →バイポーラトランジスタを用いた基本的なカレントミラー回路 最新 タグ: ビジュアルエディター
• 02:362018年10月19日 (金) 02:36 差分 履歴 −10 m 利用者:Onosaki/カレントミラー 編集の要約なし タグ: 2017年版ソースエディター
• 02:262018年10月19日 (金) 02:26 差分 履歴 −14 m 利用者:Onosaki/カレントミラー 編集の要約なし タグ: ビジュアルエディター

2018年10月18日 (木)

• 13:232018年10月18日 (木) 13:23 差分 履歴 +204 m 利用者:Onosaki/カレントミラー test タグ: ビジュアルエディター

2018年10月17日 (水)

• 13:102018年10月17日 (水) 13:10 差分 履歴 +1,639 利用者:Onosaki/カレントミラー 編集の要約なし タグ: ビジュアルエディター

2018年10月15日 (月)

• 05:462018年10月15日 (月) 05:46 差分 履歴 +33 m 利用者:Onosaki/カレントミラー →注釈 タグ: ビジュアルエディター
• 05:382018年10月15日 (月) 05:38 差分 履歴 +1,737 m 利用者:Onosaki/カレントミラー →出力抵抗 タグ: ビジュアルエディター
• 05:262018年10月15日 (月) 05:26 差分 履歴 +15,268 利用者:Onosaki/カレントミラー ページ「Current mirror」の翻訳により作成 タグ: コンテンツ翻訳

2018年10月9日 (火)

• 09:462018年10月9日 (火) 09:46 差分 履歴 +14,762 N 利用者:Onosaki/カレントミラー ページ「Current mirror」の翻訳により作成 タグ: コンテンツ翻訳

2018年10月3日 (水)

• 12:262018年10月3日 (水) 12:26 差分 履歴 +2,608 トンネル磁気抵抗効果 原理を追加 タグ: ビジュアルエディター

2018年10月2日 (火)

• 11:482018年10月2日 (火) 11:48 差分 履歴 +17,037 相変化メモリ [en:Phase-change memory] oldid=858138712 のBackground, PRAM vs. Flash, Challenges の項を翻訳 タグ: サイズの大幅な増減 ビジュアルエディター

2018年9月29日 (土)

• 10:092018年9月29日 (土) 10:09 差分 履歴 +16 m アンチモン化アルミニウム 単位の修正、合金→混晶 タグ: ビジュアルエディター

2018年9月28日 (金)

• 05:212018年9月28日 (金) 05:21 差分 履歴 +44 m 価電子帯 →半導体の場合 最新 タグ: ビジュアルエディター

2018年9月26日 (水)

• 12:272018年9月26日 (水) 12:27 差分 履歴 +24 m 価電子帯 軌道磁気量子数mに修正 タグ: ビジュアルエディター
• 12:072018年9月26日 (水) 12:07 差分 履歴 +2,162 価電子帯 半導体の場合を追加＆荷電子帯表記を削除 タグ: ビジュアルエディター
• 10:092018年9月26日 (水) 10:09 差分 履歴 +95 m 磁気抵抗メモリ 磁界書き込み型MRAMの断面図を追加 タグ: ビジュアルエディター

2018年9月22日 (土)

• 11:312018年9月22日 (土) 11:31 差分 履歴 +117 m 高電子移動度トランジスタ →エピタキシャル層構造: のスペーサ層の役割を追記 タグ: ビジュアルエディター
• 11:102018年9月22日 (土) 11:10 差分 履歴 −11 m 高電子移動度トランジスタ AlGaAsスペーサ層の書いてある図に差し替え タグ: ビジュアルエディター
• 10:482018年9月22日 (土) 10:48 差分 履歴 +60 m アンチモン化ガリウム デフォルトソート タグ: 2017年版ソースエディター
• 10:462018年9月22日 (土) 10:46 差分 履歴 +95 m アンチモン化ガリウム カテゴリの追加 タグ: 2017年版ソースエディター
• 10:222018年9月22日 (土) 10:22 差分 履歴 +1,093 N アンチモン化ガリウム ページ作成 タグ: 参考文献（出典）に関する節がない記事の作成 カテゴリを含まない記事の作成 ビジュアルエディター

2018年9月21日 (金)

• 03:152018年9月21日 (金) 03:15 差分 履歴 +1 m ヒ化ガリウム 一般的に用いられる単位への変換 タグ: ビジュアルエディター
• 02:522018年9月21日 (金) 02:52 差分 履歴 +206 m 直接遷移 直接遷移の半導体を追加 タグ: ビジュアルエディター
• 02:372018年9月21日 (金) 02:37 差分 履歴 +116 m 間接遷移 間接遷移の半導体を追加 タグ: ビジュアルエディター

2018年9月3日 (月)

• 13:052018年9月3日 (月) 13:05 差分 履歴 +1,974 基板バイアス効果 編集の要約なし タグ: ビジュアルエディター

2018年4月27日 (金)

• 09:072018年4月27日 (金) 09:07 差分 履歴 +33 m 磁気抵抗メモリ 編集の要約なし タグ: ビジュアルエディター

2018年4月18日 (水)

• 12:152018年4月18日 (水) 12:15 差分 履歴 +5 m センダスト 編集の要約なし タグ: 2017年版ソースエディター

2018年1月22日 (月)

• 15:452018年1月22日 (月) 15:45 差分 履歴 +5,272 磁気抵抗メモリ 他のメモリとの比較部分 タグ: ビジュアルエディター

2018年1月6日 (土)

• 12:552018年1月6日 (土) 12:55 差分 履歴 +906 磁気抵抗メモリ 内容が古い＆一部間違った記述のため大幅に変更 タグ: ビジュアルエディター