検索結果
このウィキでページ「Silicon-Germanium」は見つかりませんでした。以下の検索結果も参照してください。
S. “Silicon Tetrafluoride” Inorganic Syntheses McGraw-Hill: New York, Volume 4, pages 145-6, 1953. ^ Hoffman, C. J.; Gutowsky, H. S. "Germanium Tetrafluoride”…4キロバイト (357 語) - 2024年5月8日 (水) 06:44- SiGeが切り開く半導体の未来 ^ シリコン-ゲルマニウム・トランジスタで世界最速動作798GHzを記録 ― IHPとジョージア工科大 ^ Silicon-Germanium Chip Sets New Speed Record ^ 稲員ふみ、「技術開発レポート: フィルム基板アモルファスシリコン太陽電池の開発」…4キロバイト (509 語) - 2024年4月21日 (日) 16:49
- Ciraci, S. (2009). “Two- and One-Dimensional Honeycomb Structures of Silicon and Germanium”. Phys. Rev. Lett. 102: 236804. doi:10.1103/PhysRevLett.102.236804…3キロバイト (407 語) - 2020年12月15日 (火) 09:04
- (1980). “Synthetic methods. 15. Unsaturated acyl derivatives of silicon, germanium, and tin from metalated enol ethers”. J. Am. Chem. Soc. 102: 1577–1583…6キロバイト (398 語) - 2022年1月9日 (日) 21:22
Loubna et al. (2007). “High speed and high responsivity germanium photodetector integrated in a Silicon-On-Insulator microwaveguide”. Optics Express 15 (15):…56キロバイト (6,399 語) - 2024年3月8日 (金) 08:51- switching from a single silicon vacancy colour centre in diamond." Scientific reports 5 (2015): 12244. ^ Iwasaki, Takayuki, et al. "Germanium-vacancy single color…5キロバイト (665 語) - 2024年10月7日 (月) 18:21
- [要ページ番号]. Smith, Charles S (1954). “Piezoresistance Effect in Germanium and Silicon”. Phys. Rev. (American Physical Society) 94 (1). doi:10.1103/PhysRev…4キロバイト (590 語) - 2018年7月19日 (木) 05:21
- Assefa, Solomon; Xia, Fengnian; Vlasov, Yurii A. (2010). “Reinventing germanium avalanche photodetector for nanophotonic on-chip optical interconnects”…15キロバイト (1,938 語) - 2020年1月25日 (土) 17:52
Dávila, M. E.; Le Lay, G. (2014). “Germanene: a novel two-dimensional germanium allotrope akin to graphene and silicene”. New Journal of Physics 16: 095002…19キロバイト (2,715 語) - 2024年8月22日 (木) 05:43- )) (1 May 2000). “Volume changes during melting and heating of silicon and germanium melts”. High Temperature (Springer) 38 (3): 405-412. doi:10.1007/BF02756000…6キロバイト (655 語) - 2022年3月27日 (日) 21:07
- Elements into Germanium," Physical Review Vol, 86 (April 1952) pp. 23-34. ^ Chapin, D. M., Fuller, C. S. and Pearson, G. L. "A New Silicon p-n Junction…5キロバイト (606 語) - 2023年3月27日 (月) 06:39
- (CTI) および Shared Transistor Technology (STT) の利用が、最終的に65nmプロセスCPUでのSilicon-Germanium-On-Insulator (SGoI) の実現につながったと述べた。 K8 ファミリーは、SDRAMのレイテンシに敏感であることが知られている。…50キロバイト (5,336 語) - 2022年11月27日 (日) 00:01
- org/pubs/ch-v24n1-articles/haw_germanium.html 2008年1月21日閲覧。. ^ “April 25, 1954: Bell Labs Demonstrates the First Practical Silicon Solar Cell”. APS News (American…25キロバイト (3,004 語) - 2023年4月6日 (木) 06:36
^ Smith, G. S.; Tharp, A. G.; Johnson, W. (1967). “Rare earth–germanium and –silicon compounds at 5:4 and 5:3 compositions”. Acta Crystallographica 22…64キロバイト (8,147 語) - 2024年10月24日 (木) 22:41
Popper, P. (1958). “On the crystal structure of the nitrides of silicon and germanium”. Acta Crystallographica 11 (7): 465–468. doi:10.1107/S0365110X58001304…2キロバイト (212 語) - 2023年5月11日 (木) 10:59
1021/ja01433a020 2021年1月12日閲覧。. ^ a b Schenk, P.W. (1963). “12. Silicon and Germanium”. In Brauer, Georg. Handbook of preparative inorganic chemistry…5キロバイト (552 語) - 2024年5月4日 (土) 23:01
^ Safer alternative liquid germanium precursors for relaxed graded SiGe layers and strained silicon by MOVPE[リンク切れ]; D.V. Shenai et al., Presentation…7キロバイト (634 語) - 2024年3月6日 (水) 17:12- Classic recalling Reiss, Fuller, Morin (1956) "Chemical interactions among defects in germanium and silicon", Bell System Technical Journal 35:535–636.…10キロバイト (1,137 語) - 2023年11月30日 (木) 03:24
Arduengo; H. V. R. Dias; J. C. Calabrese; F. Davidson (1993). “A [carbene germanium diiodide adduct]: model of the non-least-motion pathway for dimerization…51キロバイト (6,205 語) - 2022年2月3日 (木) 05:56- 7646 2204 069.723（1） 1.81 9.51 固体 -3d104s24p 136 32 Ge ケルマニウム/ゲルマニウム Germanium 4 14 半金属 5.323 938.25 2833 072.630（8） 2.01 33.2 固体 -3d104s24p2 125 33…40キロバイト (674 語) - 2024年10月8日 (火) 09:01
- Silicon Fen Silicon Forest silicon germanide silicon germanium Silicon Glen Silicon Hills silicon hydride silicon iron siliconise, siliconize silicon
- ケイ素 Si やゲルマニウム Ge は、導体と絶縁体の中間の抵抗率をもつことから、ケイ素(英: silicon)やゲルマニウム(英: germanium)などは半導体と言われる。 この半導体の結晶に、わずかに、リンPなどの不純物を入れることで、抵抗率を大きく下げられる。 （※