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Wind-o-Vailの投稿記録

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利用者の編集は93回。 2022年2月24日 (木)にアカウント作成。

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02:332023年5月29日 (月) 02:33 差分履歴 +9 NMOSロジック →概要
02:242023年5月29日 (月) 02:24 差分履歴 −47 m NMOSロジック編集の要約なし

01:012023年5月24日 (水) 01:01 差分履歴 +10 m NMOSロジック →抵抗器の代わりにMOSFETを使用する

01:242023年5月15日 (月) 01:24 差分履歴 +305 利用者‐会話:PV-BC500 →「エンハンスメントモードn型MOSFETの特性図」について: 返信タグ: 差し戻し済み議論ツール返信

03:172023年5月13日 (土) 03:17 差分履歴 +343 利用者‐会話:PV-BC500 →「エンハンスメントモードn型MOSFETの特性図」について: 返信タグ: 差し戻し済み議論ツール返信
02:522023年5月13日 (土) 02:52 差分履歴 +1,059 利用者‐会話:PV-BC500 →「エンハンスメントモードn型MOSFETの特性図」について: 返信タグ: 差し戻し済み議論ツール返信

00:492023年5月10日 (水) 00:49 差分履歴 +542 利用者‐会話:PV-BC500 →「エンハンスメントモードn型MOSFETの特性図」について: 返信タグ: 差し戻し済み議論ツール返信

16:202023年5月9日 (火) 16:20 差分履歴 +1,143 利用者‐会話:PV-BC500 →「エンハンスメントモードn型MOSFETの特性図」について: 新しい節タグ: 差し戻し済み議論ツール新規トピック

14:452023年4月7日 (金) 14:45 差分履歴 +1 m MOSFET →MOSFETの動作: 注釈の挿入箇所を変更した
13:382023年4月7日 (金) 13:38 差分履歴 +204 m MOSFET →MOSFETの動作: ジャンクションFETのピンチオフとの違いを明示した
13:242023年4月7日 (金) 13:24 差分履歴 −15 m MOSFET →MOSFETの動作: リンク切れのためリンク先を変更
07:532023年4月7日 (金) 07:53 差分履歴 +72 m MOSFET ソースからの電流が拡散電流であることを強調したが、ややくどい説明になったかも…

16:262023年4月5日 (水) 16:26 差分履歴 +297 MOSFET →MOSFETの動作
16:182023年4月5日 (水) 16:18 差分履歴 −50 桜井のα乗則編集の要約なし
16:012023年4月5日 (水) 16:01 差分履歴 +663 MOSFET 編集の要約なし

07:392023年4月3日 (月) 07:39 差分履歴 +2,683 N 速度飽和 ←新しいページ: 「ここで述べる飽和速度とは、半導体中の電荷キャリア（一般には電子）が非常に高い電界の存在下で到達する最大速度のことで、このとき半導体は速度飽和状態にあると言われる。 <ref>''Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties'', Peter Y. Yu, Manuel Cardona, pp. 227-228, Springer, New York 2005, {{ISBN|3-540-25470-6}}</ref> <ref>''半導体デバイスの基礎（…」タグ: 曖昧さ回避ページへのリンク

15:232023年3月31日 (金) 15:23 差分履歴 +716 ノート:NMOSロジック →「速度飽和領域」と言うことばについて: 返信タグ: 議論ツール返信
07:312023年3月31日 (金) 07:31 差分履歴 +1,802 N ノート:NMOSロジック →「速度飽和領域」と言うことばについて: 新しい節タグ: 議論ツール新規トピック

15:482023年3月5日 (日) 15:48 差分履歴 +801 利用者‐会話:PV-BC500 →「MOSFET」の項目への追加記述に関して: 返信タグ: 差し戻し済み議論ツール返信
02:222023年3月5日 (日) 02:22 差分履歴 +2,036 利用者‐会話:PV-BC500 →「MOSFET」の項目への追加記述に関して: 新しい節タグ: 差し戻し済み議論ツール新規トピック

06:102023年3月3日 (金) 06:10 差分履歴 +41 m 萩原良昭 →人物・来歴最新

07:482023年2月8日 (水) 07:48 差分履歴 +1,187 基板バイアス効果編集の要約なし最新
07:062023年2月8日 (水) 07:06 差分履歴 +819 SOI 編集の要約なし

05:522023年2月7日 (火) 05:52 差分履歴 +48 萩原良昭編集の要約なし
05:472023年2月7日 (火) 05:47 差分履歴 +463 萩原良昭編集の要約なし

08:172022年9月22日 (木) 08:17 差分履歴 +4 m 基板バイアス効果編集の要約なし

07:152022年7月26日 (火) 07:15 差分履歴 +4 m 三井信雄 →IBMにて

16:432022年7月8日 (金) 16:43 差分履歴 +30 N アルファ乗則 ←桜井のα乗則へのリダイレクト最新タグ: 新規リダイレクト

05:472022年7月7日 (木) 05:47 差分履歴 +18 m 桜井のα乗則編集の要約なし
05:452022年7月7日 (木) 05:45 差分履歴 +1,940 N 桜井のα乗則 ←新しいページ: 「'''桜井のα乗則'''（さくらいのアルファじょうそく{{Lang-en-short|Sakurai's Alpha-power law}}）とは、MOSFETのドレイン電流特性が微細化に伴う強反転領域でのキャリアの速度飽和の影響により、古典的なドレイン電流の式、 <math>I_{ds} = \frac{1}{2} \mu C_{OX} \frac{W}{L} ( V_{gs} - V_{th} ) ^2 </math> から乖離する現象を、べき数の２を<math>\alpha </math>に置き換え…」

08:182022年7月6日 (水) 08:18 差分履歴 +1,480 利用者:Wind-o-Vail/sandbox 編集の要約なし最新

08:402022年5月30日 (月) 08:40 差分履歴 −82 MOSFET →MOSFETの動作

17:132022年5月29日 (日) 17:13 差分履歴 +439 MOSFET →バイポーラ・トランジスタとの比較
08:252022年5月29日 (日) 08:25 差分履歴 +953 MOSFET →MOSFETの動作

07:592022年5月9日 (月) 07:59 差分履歴 +160 閾値電圧編集の要約なし最新
07:292022年5月9日 (月) 07:29 差分履歴 0 m MOSFET →MOSFETの動作

08:062022年5月2日 (月) 08:06 差分履歴 +828 MOSダイオード →エネルギーバンド図

08:472022年5月1日 (日) 08:47 差分履歴 +3 MOSダイオード編集の要約なし
08:462022年5月1日 (日) 08:46 差分履歴 +1,079 MOSダイオード →エネルギーバンド図

08:202022年4月29日 (金) 08:20 差分履歴 +1,098 MOSFET →バイポーラ・トランジスタとの比較

09:022022年4月28日 (木) 09:02 差分履歴 +475 MOSFET →MOSFETの動作

06:312022年4月23日 (土) 06:31 差分履歴 +200 スケーリング則臨界指数へのリダイレクトを解除しましたタグ: リダイレクト解除

06:322022年4月6日 (水) 06:32 差分履歴 +25 日本IBM野洲事業所 →野洲研究所

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