Jxev\trの投稿記録
利用者の編集は1,293回。 2014年4月29日 (火)にアカウント作成。
2024年6月1日 (土)
- 12:562024年6月1日 (土) 12:56 差分 履歴 +99 応答関数 →例 最新
2021年8月1日 (日)
2019年12月24日 (火)
2019年12月23日 (月)
- 13:382019年12月23日 (月) 13:38 差分 履歴 +13 シュレーディンガー方程式 編集の要約なし タグ: モバイル編集 モバイルウェブ編集
- 13:332019年12月23日 (月) 13:33 差分 履歴 +25 量子化学 →基本的な問題 タグ: モバイル編集 モバイルウェブ編集
2019年12月6日 (金)
- 18:152019年12月6日 (金) 18:15 差分 履歴 +672 コヒーレント状態 編集の要約なし
- 17:222019年12月6日 (金) 17:22 差分 履歴 +118 コヒーレント状態 編集の要約なし
2019年9月8日 (日)
- 14:352019年9月8日 (日) 14:35 差分 履歴 −9,919 利用者:Jxev\tr/sandbox en:Fourier-transform infrared spectroscopy(15:10, 2 September 2019)の翻訳（途中） 最新
2019年9月6日 (金)
- 15:422019年9月6日 (金) 15:42 差分 履歴 +38 コヒーレンス長 編集の要約なし
2019年6月20日 (木)
- 13:402019年6月20日 (木) 13:40 差分 履歴 +49 シャロートレンチアイソレーション 編集の要約なし
- 13:222019年6月20日 (木) 13:22 差分 履歴 +79 シャロートレンチアイソレーション →プロセスフロー タグ: モバイル編集 モバイルウェブ編集
- 13:072019年6月20日 (木) 13:07 差分 履歴 +72 LOCOS →層の機能と構造 タグ: モバイル編集 モバイルウェブ編集
- 13:042019年6月20日 (木) 13:04 差分 履歴 +156 LOCOS →層の機能と構造 タグ: モバイル編集 モバイルウェブ編集
2019年2月9日 (土)
- 16:032019年2月9日 (土) 16:03 差分 履歴 +3,436 N サリサイド en:Salicide(21:36, 17 October 2017)
- 15:382019年2月9日 (土) 15:38 差分 履歴 +25 N シリサイド ←ケイ化物へのリダイレクト 最新 タグ: 新規リダイレクト
- 13:322019年2月9日 (土) 13:32 差分 履歴 +4,726 N ケイ化物 en:Silicide(17:03, 6 November 2018)を翻訳
- 13:302019年2月9日 (土) 13:30 差分 履歴 −9 ケイ化ウラン 編集の要約なし
- 13:302019年2月9日 (土) 13:30 差分 履歴 −9 ケイ化マグネシウム 編集の要約なし
- 13:292019年2月9日 (土) 13:29 差分 履歴 +118 N Category:ケイ化物 ←新しいページ: 「詳細はケイ化物を参照。 {{デフォルトソート:けいかふつ}} Category:ケイ素の化合物」
- 09:252019年2月9日 (土) 09:25 差分 履歴 +9,630 N 浮遊ゲートMOSFET en:Floating-gate MOSFET( 05:59, 10 May 2018 )を翻訳
- 07:522019年2月9日 (土) 07:52 差分 履歴 +22 N UV光 ←紫外線へのリダイレクト 最新 タグ: 新規リダイレクト
2019年2月3日 (日)
- 11:052019年2月3日 (日) 11:05 差分 履歴 +21,657 N 自己整合ゲート en:Self-aligned gate(22:48, 12 July 2018)を翻訳
- 00:512019年2月3日 (日) 00:51 差分 履歴 +6,017 N LOCOS en:LOCOS(22:32, 12 November 2017)を翻訳
2019年1月26日 (土)
- 23:462019年1月26日 (土) 23:46 差分 履歴 +37 N トライゲートトランジスタ ←マルチゲート素子へのリダイレクト 最新 タグ: 新規リダイレクト
- 23:442019年1月26日 (土) 23:44 差分 履歴 +5,383 FinFET en:FinFET(11:02, 29 November 2018)を翻訳 タグ: リダイレクト解除
- 09:242019年1月26日 (土) 09:24 差分 履歴 +7,060 N サブスレッショルド伝導 en:Subthreshold conduction(20:33, 8 July 2018)を翻訳
- 08:502019年1月26日 (土) 08:50 差分 履歴 +5,843 N ドレイン誘起障壁低下 en:Drain-induced barrier lowering(11:04, 14 April 2018)を翻訳
- 07:022019年1月26日 (土) 07:02 差分 履歴 +40 N ホットエレクトロン ←ホットキャリア注入へのリダイレクト 最新 タグ: 新規リダイレクト
- 07:002019年1月26日 (土) 07:00 差分 履歴 +13,087 N ホットキャリア注入 en:Hot-carrier injection( 03:53, 6 September 2018)を翻訳
2019年1月20日 (日)
2019年1月19日 (土)
- 10:222019年1月19日 (土) 10:22 差分 履歴 +45 ハードマスク 編集の要約なし
- 10:212019年1月19日 (土) 10:21 差分 履歴 +530 N ハードマスク en:Hardmask(16:23, 28 April 2017)を翻訳 タグ: 参考文献（出典）に関する節がない記事の作成
- 09:342019年1月19日 (土) 09:34 差分 履歴 +30 配線工程 編集の要約なし
- 09:042019年1月19日 (土) 09:04 差分 履歴 0 銅配線 →メタルバリア
- 09:032019年1月19日 (土) 09:03 差分 履歴 +22 ドーパント →深い準位
- 06:222019年1月19日 (土) 06:22 差分 履歴 +40 シリコンゲルマニウム 編集の要約なし
- 06:202019年1月19日 (土) 06:20 差分 履歴 +37 歪みシリコン 編集の要約なし
- 05:462019年1月19日 (土) 05:46 差分 履歴 +7,629 N チャネル長変調 en:Channel length modulation(08:08, 7 March 2017)を翻訳
2019年1月16日 (水)
- 21:182019年1月16日 (水) 21:18 差分 履歴 −41 半導体 →半導体の型
- 21:142019年1月16日 (水) 21:14 差分 履歴 +458 電荷担体 編集の要約なし
- 20:482019年1月16日 (水) 20:48 差分 履歴 +826 N 短チャネル効果 en:Short-channel effect(07:53, 16 August 2017)を翻訳
- 14:072019年1月16日 (水) 14:07 差分 履歴 +4 MOSダイオード →エネルギーバンド図 タグ: モバイル編集 モバイルウェブ編集
- 14:002019年1月16日 (水) 14:00 差分 履歴 +25 N しきい値電圧 ←閾値電圧へのリダイレクト 最新 タグ: 新規リダイレクト
- 14:002019年1月16日 (水) 14:00 差分 履歴 +25 N スレッショルド電圧 ←閾値電圧へのリダイレクト 最新 タグ: 新規リダイレクト
- 13:592019年1月16日 (水) 13:59 差分 履歴 +11,853 N 閾値電圧 en:Threshold voltage(18:24, 14 October 2018)を翻訳
2019年1月14日 (月)
- 13:182019年1月14日 (月) 13:18 差分 履歴 +34 N オーミック接合 ←オーミック接触へのリダイレクト 最新 タグ: 新規リダイレクト
- 13:162019年1月14日 (月) 13:16 差分 履歴 +6 基板工程 編集の要約なし
- 13:142019年1月14日 (月) 13:14 差分 履歴 +31 N ゲート金属 ←メタルゲートへのリダイレクト 最新 タグ: 新規リダイレクト
- 13:142019年1月14日 (月) 13:14 差分 履歴 +4 MOSFET 編集の要約なし
- 13:112019年1月14日 (月) 13:11 差分 履歴 +31 N 金属ゲート ←メタルゲートへのリダイレクト 最新 タグ: 新規リダイレクト
