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松波弘之

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』

松波 弘之(まつなみ ひろゆき、1939年6月5日 - )は、日本の工学者。京都大学名誉教授、京都先端科学大学特任教授。工学博士(京都大学)。

炭化ケイ素(SiC)という、従来は研磨材耐熱材料としての利用しかなかった材料の半導体材料としての可能性に早くから注目し、20年以上の試行錯誤の末、SiC 薄膜作製法において、結晶面に適度な傾斜角を導入することによって、結晶成長を制御する方法を見出し、世界で初めて結晶多形混在のない高品質SiCのエピタキシャル成長に成功した。その後、高耐圧・低損失のSiC ショットキーバリアダイオード、高性能SiC電界効果トランジスタを実現し、既存のシリコン半導体では実現できない高性能なパワーデバイスがSiCにより実現できることを世界で初めて実証し、SiCの半導体材料としての地位を確立した。

略歴

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賞歴

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著書・編著

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  • 半導体工学(1984年、昭晃堂
  • 半導体工学 第2版(1999年、昭晃堂)
  • Silicon Carbide Vol. I, II (1997年、Akademie Verlag) 共編著
  • Silicon Carbide -Recent Major Advances- (2003年、Springer) 共編著
  • 半導体材料とデバイス(2001年、岩波書店 現代工学の基礎)共著
  • 半導体SiC技術と応用(2003年、日刊工業新聞社)編著
  • 半導体SiC技術と応用 第2版(2011年、日刊工業新聞社)編著

脚注

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  1. ^ 朝日賞 2001-2018年度”. 朝日新聞社. 2023年1月4日閲覧。
  2. ^ 『官報』号外第14号、2019年(令和元年)5月21日
  3. ^ 令和元年春の叙勲 瑞宝中綬章受章者” (PDF). 内閣府. p. 20 (2019年5月). 2023年2月21日閲覧。
  4. ^ IEEE EDISON MEDAL RECIPIENTS

外部リンク

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